2025考研大纲：天津理工大学2025年考研自命题科目 821半导体物理 考试大纲

一、考试方式

考试采用笔试方式，考试时间为 180 分钟

，试卷满分为

150 分。

二、试卷结构与分数比重

试题分为名词解释、简答题、证明题、计算题、论述题等。其中

：名词解释占 20%，简答题占 30%，证明

题占 10%，计算题占 10%，论述题占 30%。

三、考查的知识范围

1．半导体中的电子状态（10％）：能带论，半导体中的电子运动、有效质量，本征

半导体的导电机制、

空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。

2．载流子的统计分布（15％）：状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，

杂质半导体的载流子浓度。一般情况下的载

流子的统计分布。

3．半导体的导电性（15％）：载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移

率与杂质浓度和温度的关系，玻

尔兹曼方程；强电场效应，热载流子。

4．非平衡载流子（20％）：非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，

复合理

论，陷阱效应，载流子的扩散运动、连续性方程。

5

．PN 结（15

％）：

PN 结及其能带图，PN 结电流电压特性。

6．金属和半导体的接触（10％）：金属和半导体接触的整流理论，少数载流子的注入，欧姆接触。

7．半导体表面与 MIS 结构（15

％）：

表面电场效应，理想与非理想的 MIS 结构的 C-V 特性，

Si-SiO

2

系统的性质，表面电导。

四、参考书目

《半导体物理学》（第 7 版

），

刘恩科主编，电子工业出版社，2017 年