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801 半导体物理 考试大纲
（研招考试主要考察考生分析问题与解决问题的能力，大纲所列内容为考生需掌握的
基本内容，仅供复习参考使用，考试范围不限于此）
一、 总体要求
“半导体物理” 要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受
外界因素的影响及其变化规律 。重点 掌握 半导体 的 晶体 结构 、半导体中的电子状态和带、
半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中
的非平衡载流子等相关知识 、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电
阻 (导 )率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律
的 计算 等。
“ 半导体物理 ”（ 801 ） 研究生 入学 考试是所学知识的总结性考试，考试水 平应达
到或超过本科专业相应的课程要求水平。
二、 知识 要点
（一）半导体晶体结构和缺陷
1. 复习内容
半导体 的分类及其特点，半 导体的性质 及 导电 能力对 外界 因素 的依 赖 性 ， 半导体
化学键 的 性质 和 半导体 的 晶体结构， 金刚石与 闪锌矿 结构的 特点 及 其各向异性。
2. 具体要求
固体的分类
半 导体性质
化学键类型和晶体结构的规律性
半导体晶体结构与 半导体 键 的 性质
晶格、晶向与晶面
半导体中 常用的晶向与晶面
金刚石结构 和 闪锌矿结构的特点 及其 各向异性
砷化镓晶体的极性
（ 二 ） 半导体中的电子状态
1. 复习内容
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半导体中电子状态与能带， 半导 体中的电子 运动与有效质量，空穴，回旋共振 原
理 与作用 ， Si 的回旋共振实验结 果 ， 常用 元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
2. 具体要求
半导体中的电子状态 、 表征 和能带
半导体中电子的运动和有效质量 ， 有效质量的 意义
本征半导体的导电机构 ，
空穴的概念 ，空穴 等效 概念 的作用 与 意义
回旋共振 原理 、作用 及其 Si 晶体的回旋共振 实验结果
Si 、 Ge 和 典型 化合物半导体的能带结构
（ 三 ） 半导体中杂志和缺陷能级
1. 复习内容
半导体中的杂质 和缺陷 ， 元素 半导体 中的 杂质 和缺陷能级 ， 化合物半导体中的杂
质能级、位错和缺陷能级 。
2. 具体要求
Si 和 Ge 晶体中的杂质 和 杂质 能级
杂质的补偿作用 与 应用
深能级杂质
Ⅲ -Ⅴ 族化合物半导体中的杂质能级
等电子杂质与等电子陷阱
半导体中的缺陷与位错能级
（ 四 ） 半导体中载流子的统计分布
1. 复习内容
状态密度， 分布 函数 、 Fermi 能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子
浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体
2. 具体要求
状态密度 的定义与计算
分布 函数
费米能级 、 费米能级 意义
非简并 半导体 载流子的统计分布
本征半导体的载流子浓度
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杂质半导体的载流子浓度
杂质补偿半导体的载流子浓度
简并半导体及 载流子浓度 、 简并 化 判据 、 简并半导体的特点与杂质带导电
载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素
（ 五 ） 半导体的导电性
1. 复习内容
载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，
电阻率与杂质浓度和温度的关系，强场效应与热载流子
2. 具体要求
漂移 的 概念 与规律
载流子漂移运动
迁移率 定义 及物理意义
载流子散射 概念
半导体中的 主要 散射机制 、 特点 及其影响因素
半导体中 其它 因素引 起 的散射
迁移率与杂质浓度和温度的关系
电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
载流子 在 强电场下的效 应
高场畴区与 Gunn 效应 ；
（ 六 ） 非平衡载流子
1. 复习内容
非平衡状态 ， 非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米能级，复合
理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程
2. 具体要求
非 平衡状态 及其 特点
非平衡载流子的注入与复合
准费米能级 概念 与意义
非平衡载流子的寿命 及其 影响因素
直接 复合 与 间接复合 理论
表面 复合
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陷阱效应
扩散 概念与 规律
半导体中 载流子的扩散运动
Einstein 关系
半导体中 的电流 构成
连续性方程 的建立 及 意义
连续性方程 的 典型 应用
三、 考试形式
1、 考试时间 ： 180 分钟。
2、试卷分值 ： 150 分。
3、考试方式 ： 闭卷考试。
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